2011年6月11日，“亚洲LED照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆B区8号会议厅南厅举行。来自华南师范大学范广涵教授发表了《LED外延工艺及设备新发展》的专题演讲。

　　范广涵教授在他的演讲中首先指出当前LED大规模生产所面临的技术问题有efficiency drop，极化场作用，与衬底晶格失配，进一步提高内量子效率等。针对上述问题，范教授接着例举了目前世界上最新的LED外延技术发展如下：

　　1、LED衬底研发：GaN同质衬底;非极性面衬底：企图在非极性Si衬底上进行发展，在Si衬底上插入Al2O3，改善晶体质量和发光;Al2O3插入层;图形衬底：向纳米量级的图形衬底探索突破，蓝宝石纳米图形衬底明显优于传统蓝宝石衬底;大尺寸衬底···

　　2、横向过生长新发展——解决失配性问题，提高效率。在GaN层上形成SiO2和孔列阵，再加一层GaN，改善外延质量，提高光输出功率近50%;法国非对称横向过生长技术，明显提高GaN薄膜质量;瑞士嵌入SiO2光子准晶技术;利用GaN纳米线进行外延，光输出功率是传统的3倍···

　　3、量子阱新设计——纳米金字塔结构上生长黄光量子阱，有效抑制压电场;凹形量子阱，减弱静电场，减少电子泄露，提高内量子效率，减少效率下降问题;利用纳米孔GaN增强LED中量子点的生长，增加量子点的密度，致光输出功率增加1.45倍;InAlN做电子阻挡层;量子阱势垒掺Si提高LED内量子效率;SPS做p型接触层···

　　4、光子晶体提高光提取效率

　　5、氮化镓系LED新技术，紫外LED，双波长LED等

　　最后，范广涵教授谈到MOCVD设备的发展时指出国外在此领域处在领先地位，国内的众多机构正在积极研发，但只有样机试点使用，总体发展较为缓慢。