中科院陈弘博士：《无荧光粉的白光发光二极管研究》
摘要： 2011年6月10日，”亚洲LED照明高峰论坛 -- LED光品质研究"专题分会在广州琶洲展馆B区8号会议厅南厅举行。中国科学院物理研究所的研究员陈弘博士作为第四位演讲嘉宾进行了一场题为《无荧光粉的白光发光二极管研究》的报告，演讲分为研究意义、国内外进展及基于纳米结构的单芯片白光LED三大部分进行。
2011年6月10日，”亚洲LED照明高峰论坛 -- LED光品质研究"专题分会在广州琶洲展馆B区8号会议厅南厅举行。中国科学院物理研究所的研究员陈弘博士作为第四位演讲嘉宾进行了一场题为《无荧光粉的白光发光二极管研究》的报告，演讲分为研究意义、国内外进展及基于纳米结构的单芯片白光LED三大部分进行。
陈弘博士以及他的研究团队找到了一种氮化铟镓(InGaN)晶粒制作白光LED的方法。他们利用特殊的单层InGaN量子阱制备技术，使蓝光和黄光两个波长的混合，首列实现单晶片的白光发光二极管，避免了现有蓝光激发YAG荧光粉的缺点。
报告中，他指出以白光LED为核心的半导体照明是下一代照明技术。他特别提及了半导体照明对我国“节能减排”战略的贡献。
陈弘博士以学术性的语言同大家一起探讨了B+Y白光LED面临的两大主要问题，即流明效率和显色指数，并提出了解决手段，如异质纳米晶粒实现多色谱白光LED。
最后，他以大笔墨向大家介绍了“基于纳米的单芯片白光LED”，展示了他的部分工作成果。
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