丰田中央研究所和三垦电气分别利用以称为NaFlux法的结晶成长法制成的GaN底板，试制出了GaN类肖特基势垒二极管(SBD)。

　　NaFlux法是将氮气(N2)喷到钙(Ga)和钠(Na)的混合溶液中，令氮(N)溶解制成GaN结晶。大阪大学等的研究小组将用HVPE法制成的GaN结晶用作基础底板。特点是结晶成长越厚，错位越会大幅减少。另外，NaFlux法最初是由日本东北大学多元物质科学研究所教授山根久典开发的。

　　三垦电气在NanoTech2010国际纳米技术综合展技术会议上现场演示了将试制的SBD用作LED驱动电路，并实际点亮了LED。据称与在LED的驱动电路中采用普通硅制FRD(快恢复二极管，FastRecoveryDiode)时相比，LED驱动电路的效率提高了两个百分点以上。另一方面，丰田中央研究所试制了耐压为1kV的SBD.此次展出了试制品的说明展板。

　　此外，在现场展出的还有以NaFlux法制成的GaN底板。展出的产品以口径为2英寸和4英寸为主。大阪大学的森勇介指出，此次是首次展出4英寸产品.

　　GaN底板目前正在进行面向实用化的研究开发，首先以LED用途2英寸品的实用化为目标。因设想会利用GaN底板制作蓝色LED芯片，所以考虑提高蓝色波长带中的光穿透率。另一个目标是降低电阻率。

　　关于成本方面，以4英寸产品实现3万日元的价格是一个目标。在LED领域实用化后，下一个目标是功率元件的采用。