在此标准中，标准LED主要分为光强度测量及光通量测量两种(见表1)，其依据测量特性的不同而有不同的设计概念。举例来说，光强度测量用的标准LED,由于在光强度测量方法中，待测LED机械轴(Mechanical Axis)对准测光器(Photo Detector)是很重要的一项校正因素，因此在该标准中采用机械轴容易对准的子弹型(Lamp)封装当作标准形式;至于光通量测量用标准LED,由于考虑到全光通量的测量规定，因此使用可防止朝LED后方发出光线，且光强度较为均匀的金属罐型(TO-Can)封装当作标准形式。值得注意的是，此处两种形式的标准LED,都是使用氮化铟镓(InGaN)系列的芯片配合钇铝石榴石(YAG)荧光粉所制成的白光LED,其对应在定义项中针对照明用白光LED所述之无欠缺波长的部分。

　　由于标准LED是测量时重要的参考依据，故此标准希望在尽量减少周边环境的影响下，将光学及电气特性的不稳定性降至最低，以达到所期望之再现性的要求。本标准除了限制测量环境温度变动须小于2℃外，为减少LED的初期变动，建议最好使用已经过100小时以上恒流(如20毫安)驱动的标准LED,标准LED之环境温度须控制在25℃。在修订版内，其在附件4中增加温控插槽(Socket)(为具有芯片温度控制功能的点灯治具)说明，其要求在恒定电流的情况下，LED到达热平衡状态的时间(希望至少在5分钟以上)后进行点灯测量。(编辑：CBE)