丰田合成开发非极性面GaN结晶,光效将提升
2009-11-08
作者：admin
来源：日经BP社
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摘要： 日本丰田合成公司在3英寸的蓝宝石底板上形成了非极性面(m面)GaN结晶，成功采用该结晶实现了LED的发光。
日本丰田合成公司在3英寸的蓝宝石底板上形成了非极性面(m面)GaN结晶，成功采用该结晶实现了LED的发光。在2009年10月29日举行的Green Device 2009 Forum上，该公司OptoE业务部第1技术部部长柴田直树在演讲中公布了上述消息。蓝色LED以及采用蓝色LED的白色LED目前都配备了采用GaN类结晶极性面的LED芯片。柴田表示，如果采用非极性面，就可以削弱极性面中存在于结晶内的压电电场，具有可将发光效率提高20%左右的效果。此前也有过在非极性面的GaN底板以及蓝宝石底板上试制非极性面GaN结晶的例子，不过3英寸是迄今为止最大的尺寸。而且，蓝宝石底板上的非极性面GaN结晶的表面是镜面，结晶的质量也很高。
柴田称，在3英寸非极性面GaN结晶上形成的LED的亮度与采用极性面的现有产品相比，目前亮度只有其1/4左右。这是因为，与采用极性面时相比，结晶缺陷多达其100倍左右，尚处于开发阶段。该公司今后将把结晶缺陷的密度减至目前的1/10，把结晶表面的粗糙度减半以提高平坦度，从而提高LED的亮度。
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