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LED芯片分类知识

2009-11-16 作者:admin 来源:光电新闻网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: LED芯片分为MB芯片,GB芯片,TS芯片,AS芯片等4种,下文将分析介绍这4种芯片的定义与特点。

  1.MB芯片定义与特点

  定义:

  MB 芯片:Metal Bonding (金属粘着)芯片;该芯片属于UEC 的专利产品

  特点:

  1、采用高散热系数的材料---Si 作为衬底,散热容易。

  Thermal Conductivity

  GaAs: 46 W/m-K

  GaP: 77 W/m-K

  Si: 125 ~ 150 W/m-K

  Cupper:300~400 W/m-k

  SiC: 490 W/m-K

  2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收.

  3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍),更适应于高驱动电流领域。

  4、底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。

  5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB

  2.GB芯片定义和特点

  定义:

  GB 芯片:Glue Bonding (粘着结合)芯片;该芯片属于UEC 的专利产品

  特点:

  1:透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

  2:芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图。

  3:亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

  4:双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

  3.TS芯片定义和特点

  定义:

  TS 芯片:transparent structure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP 的专利产品。

  特点:

  1.芯片工艺制作复杂,远高于AS LED。

  2.信赖性卓越。

  3.透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。

  4.应用广泛。

  4.AS芯片定义与特点

  定义:

  AS 芯片:Absorbable structure (吸收衬底)芯片,经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,差距不大。大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等。

  特点:

  1. 四元芯片,采用 MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。

  2. 信赖性优良。

  3. 应用广泛。

  发光二极管芯片材料磊晶种类

  1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

  2 、VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

  3 、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

  4 、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

  5 、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure, (双异型结构) GaAlAs/GaAs

  6、DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure, (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

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