旭明以特有专利申请中的磊晶沉渍技术，此技术是LED在蓝宝石基材上成长额外的结构，此结构使得蓝宝石基材可以移除。LED在金属基层上形成之后，也在n-GaN表面上制作图案来克服氮化镓材料内部的光全反射损失，增加取光效率。旭明光电的垂直型金属基层MvpLED技术克服了传统型与覆晶封装型的效率不佳的问题，举例而言，第一点，此技术并不需移除n型电极接脚上的任何东西，同尺寸晶粒下，传统型蓝宝石基板之氮化镓LED相比较而言，其发光的面积较大。第二点，因为电源以垂直方向流经组件而大幅降低动态电阻，而电流聚集也被可避免。再者，由于n型氮化镓本身具有较好的电传导率，在无须制作透明电极层的情况下，依然具有很好的电流散布，因此没有透明电极吸光而降低亮度的困扰，可具有较高亮度的光输出。第三点，由于垂直型金属基层MvpLED之金属基层具有很高的热传导率，所以垂直型金属基层MvpLED的导热效率很好。第四点，垂直型金属基层MvpLED的出光方向为单一方向，向上射出，而传统型蓝宝石基板之氮化镓LED的出光方向确有六个面向来射出，因此不论在克服全反射效应的出光或于封装晶粒时将光收集的效应来看，垂直型金属基层MvpLED具有最好的光取出与光收集，达成最佳发光的效率。综合以上所言，垂直型金属基层MvpLED可以实现固态照明应用上时之高工作电流与高功率操作之要求。

　　4、MvpLED组件优点：

　　根据各种不同基板之热传导率比较，相较于一般目前商业化所用的晶粒基材，蓝宝石、硅板、锗、氮化镓、碳化硅来说，MvpLED之金属基层具有相对较高之热传导率，显示具有更加的散热能力。旭明已使用垂直型金属基层MvpLED技术在15mil,24mil,28mil,40mil,60mil不同晶粒尺寸的制作。