比利时采用硅基氮化鎵开发大功率白光LED
2009-08-13
作者：未知
来源：中国半导体照明网
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摘要： 日前，比利时研究中心(IMEC)推出一项联合开发计划(IIAP：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化鎵技术的发展，包括功率转换和固态照明(SSL)应用。
日前，比利时研究中心(IMEC)推出一项联合开发计划(IIAP：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化鎵技术的发展，包括功率转换和固态照明(SSL)应用。
IMEC GaN项目总监Marianne Germain表示，采用大直径的硅芯片(尺寸从100mm到150mm，再增至200mm)与CMOS兼容程序相结合，可创造经济上可行的解决方案。（编辑：PCL）
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