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人大委员长吴邦国视察武汉光电国家实验室(筹)

2009-04-09 作者:张玲 来源:武汉光电国家实验室(筹) 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 2009年4月2日下午,全国人大常委会委员长吴邦国一行在湖北省委书记罗清泉,湖北省委副书记、省长李鸿忠,湖北省委副书记、武汉市委书记杨松以及华中科技大学校长李培根院士的陪同下到武汉光电国家实验室(筹)视察。

  

  随后,吴邦国委员长一行来到实验室F区105室,程晓敏副教授汇报了新一代存储器――相变存储器的研发情况,委员长透过显微镜观看了写入速度快(纳秒级)、可擦写次数高(1012) 的相变存储器芯片结构,关切地询问:此项技术是什么相变材料、相变原理上是什么、单元结构如何、速度有多快以及形成产业还需要走多远等专业问题,并赞许道:很先进。程晓敏听后倍受鼓舞并表示:今后我们要加倍努力工作,进一步提高相变存储器芯片的存储容量、降低功耗、提高读写速度,为我国半导体产业提供具有自主知识产权的新型存储器芯片技术。

  韩宏伟副教授向吴邦国委员长现场演示了低成本全固态染料敏化纳米晶太阳能电池,委员长对这种只是通过简单的丝网印刷技术就能获取能源的电池很感兴趣,探下身来仔细观看了基于一块导电玻璃的单极板太阳能电池,询问了该电池的转化效率、制备成本以及与硅太阳能电池相比有什么优点。

  王磊副教授向吴邦国委员长展示了梦幻显示技术--有机电致发光二极管(OLED),此项技术是将来极有可能取代LCD的下一代显示器,并汇报了在OLED红、蓝、绿材料研发方面所取得的最新成果。吴邦国委员长频频颔首表示赞许。

  

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