东芝展出正在开发的近紫外LED
摘要: 东芝在“nano tech 2009国际纳米技术综合展”(2009年2月18~20日,东京有明国际会展中心)上展出了正在面向新一代照明用LED开发的近紫外LED。外部量子效率较高,达到了36%。发光波长为380nm。为了提高发光效率,抑制了GaN结晶的缺陷,提高了平坦性。
东芝在“nano tech 2009国际纳米技术综合展”(2009年2月18~20日,东京有明国际会展中心)上展出了正在面向新一代照明用LED开发的近紫外LED。外部量子效率较高,达到了36%。发光波长为380nm。为了提高发光效率,抑制了GaN结晶的缺陷,提高了平坦性。
该公司对设置在蓝宝石底板及GaN结晶之间、吸收不同晶格常数(lattice constant)的AlN缓冲层进行了改进。采用了在蓝宝石底板上制作AlN薄层后,利用1300℃以上的高温工艺制成μm单位AlN单结晶的“两段成长法”。这样,就能抑制在AlN层上成长的GaN结晶缺陷。另外还采用自主开发的技术解决了由于AlN较厚,与蓝宝石底板的热膨胀系数不同而引发的底板易破碎问题。
此次的近紫外LED可通过组合使用红(R)、绿(G)、蓝(B)荧光体,实现与荧光灯几乎相同的2800K色温、以及平均演色指数(Ra)90以上的照明效果。(编辑:CBE)
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