2008年11月13日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)，安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量，免应用受未预料的电压瞬态影响。

　　这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET，提供较低的导通阻抗(RDS(on))，将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比，降低传导和开关损耗。所有这些性能特性，使电源子系统能效更高。

　　安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“这些新的中等电压器件，壮大了安森美半导体优异的、配合市场需要的功率MOSFET阵容。我们计划持续推出针对市场应用的MOSFET解决方案，满足我们消费和工业应用的扩大客户需求，强化安森美半导体高能效电源开关解决方案供应商的业界领先地位。”

　　器件

　　这些器件提供宽的规范点范围，让设计人员能够灵活地选择采用DPAK、D2PAK和TO-220封装的最优导通阻抗(RDS(on))和门电荷组合。

　　所有这些器件都符合RoHS指令要求，并采用无铅封装。

　　现已提供样品和生产数量。根据不同器件，制造商建议零售价介于0.60美元至1.75美元之间。(编辑：CBE)