GaN非极性/半极性LED与激光二极管新进展
2008-07-26
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来源：中国半导体照明网
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摘要： UCSB 的Shuji Nakamura教授在题为《非极性/半极性LED和LD的发展现状》的报告中介绍了极性c面LED和用Ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。
UCSB 的Shuji Nakamura教授在题为《非极性/半极性LED和LD的发展现状》的报告中介绍了极性c面LED和用Ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。
他预计08-09年间日亚的技术将在色温4988K、正向脉冲电压2.8V和电流50mA下达到光通量163lm/W; 而UCSB将在直流电压3.6V下达到光通量150lm/W，脉冲输入下达到光通量168lm/W，而在色温4002K、正向脉冲电压2.8V和电流20mA下达到光通量193lm/W。
3种产生白光的方法中，蓝光GaN LED激发红/绿荧光粉技术在2007年达到150lm/W，远远高于2005年的100lm/W。对比教授去年的报告，不难发现他已将研究的重点从 μCone LEDs 转移到GaN块生长问题上，且更多地尝试了m面非极性衬底材料和c面蓝光InGaN LED。非极性LED，创造了历史性的突破，并获得了45%的外电子效率。（编辑:FJ）
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