5、尾部成长(Tail Growth)

　　当晶体成长到固定(需要)的长度后，晶棒的直径必须逐渐地缩小，直到与液面分开，此乃避免因热应力造成排差与滑移面现象。

　　切割：

　　晶棒长成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片， 圆片，是半导体元件"芯片"或"芯片"的基材，从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。

　　外延：

　　砷化鎵外延依制程的不同，可分为LPE(液相外延)、MOCVD(有机金属气相外延)及MBE(分子束外延)。LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极体，而MBE的技术层次较高，容易成长极薄的外延，且纯度高，平整性好，但量产能力低，外延成长速度慢。MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及外延成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。

　　其过程首先是将GaAs衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简MOCVD，又称外延炉)，再通入III、II族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸气与非金属(V或VI族元素)的氢化物(或烷基物)气体，在高温下，发生热解反应，生成III-V或II-VI族化合物沉积在衬底上，生长出一层厚度仅几微米(1毫米=1000微米)的化合物半导体外延层。长有外延层的GaAs片也就是常称的外延片。外延片经芯片加工后，通电就能发出顏色很纯的单色光，如红色、黄色等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光的顏色和亮度。其实，在几微米厚的外延层中，真正发光的也仅是其中的几百纳米(1微米=1000纳米)厚的量子阱结构。

　　反应式： Ga(CH3)3 +PH3= GaP+3CH4(编辑：CBE)