6月3日，集邦科技(DRAMeXchange)于台北国际电脑展(Computex Taipei)举办年度研讨会，与会贵宾来自二十多个国家的内存领导厂商及眾多相关业界人士，是展览期间最具国际规模的研讨会。

　　集邦科技产业研究处分别就全球DRAM、NAND Flash产业以及中国模组市场深入探讨：整体DRAM产业的位成长率预估为55%，与去年的93%相比，已经大幅缩减40%DRAM首席分析师杨雅欣(Joyce Yang)表示，随着今年DRAM厂减少资本支出37%(YoY)，加上8吋厂的去化与延缓12吋厂盖厂速度，整体产业的位元成长率预估为55%，与去年的93%相比，已经大幅缩减40%;至于在工艺演进方面，DDR2颗粒的主流工艺将从70nm 8F2往65nm 6F2推进，年底再往5Xnm迈进，以自身的技术降低制造成本，在下一个世代的技术竞争中取得有利的先发位置。

　　中国DRAM模组市场，通路强弱与成本高低是决定成败的重要因素

　　另一方面DRAM资深分析师陈建甫(Jeff Chen)也透露，要切入中国DRAM模组市场，通路是最重要的一环，与中国本地强势通路商合作，为目前最有效快速的方法。中国桌上型电脑佔PC销售量的比率仍高于全球，对现货DRAM模组需求也相对高，为各大模组厂覬覦之市场。对模组厂，通路强弱与成本高低是决定成败的重要因素。中国DRAM模组初级通路主要由潮洲商人主导，深圳为最主要之集散地。

　　集邦科技NAND Flash分析师陈有裕(Wayne Chen)指出，随着全球无线宽频通讯(3.5-4G & WiMax)的网路基础建设逐渐部署完成，将为各种新兴的可携式(portable)电子产品带来更多的成长机会，伴随着全球HDTV的陆续开播，可携式电子产品所需搭配的储存容量也将随之提高，而这些趋势都将对NAND Flash带来更多应用商机。