日本大厂同和电子开发出深紫外LED芯片实现全球最高输出功率
2008-05-21
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来源：ledinside
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摘要： 近日，日本大厂同和电子（DOWA Electronics）宣佈，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外LED芯片。比目前市售的紫外LED发光波长短，实现了该波长范围全球最高水准的输出功率。
近日，日本大厂同和电子(DOWA Electronics)宣佈，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外LED芯片。比目前市售的紫外LED发光波长短，实现了该波长范围全球最高水准的输出功率。该公司正在进行旨在实现深紫外LED量产的试验，力争2008年内开始样品供
这款新的紫外线LED芯片采用了在蓝宝石底板上高温外延生成的AIN层范本，并结合使用从美国帕洛阿尔托研究中心(Palo Alto Research Center)引进的紫外LED外延生长技术。
同和电子具有制造高品质AIN范本的技术，该公司介绍说，用AIN范本作为缓冲层，可有效降低促使结晶生长的氮化鎵(GaN)材料的变形。（编辑:FJ）
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