LED外延片技术发展趋势及LED外延片工艺
摘要： 从LED工作原理可知，外延片材料是LED的核心部分，事实上，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。
5.研发波长短的UV LED外延片材料
它为发展UV三基色萤光粉白光LED奠定扎实基础。可供UV光激发的高效萤光粉很多，其发光效率比目前使用的YAG：Ce体系高许多，这样容易使白光LED上到新臺阶。
6.开发多量子阱型芯片技术
多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中，掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱，通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。该方法提高发光效率，可降低成本，降低包装及电路的控制难度;但技术难度相对较大。
7.开发「光子再迴圈」技术
日本Sumitomo在1999年1月研制出ZnSe材料的白光LED。其技术是先在ZnSe单晶基底上生长一层CdZnSe薄膜，通电后该薄膜发出的蓝 光与基板ZnSe作用发出互补的黄光，从而形成白光光源。美国Boston大学光子研究中心用同样的方法在蓝光GaN-LED上叠放一层AlInGaP半 导体复合物，也生成了白光。
LED外延片工艺
衬底>>结构设计>>缓冲层生长>>N型GaN层生长>>多量子阱发光层生长>>P型GaN层生长>>退火>>检测(光萤光、X射线)>>外延片片
外延片>>设计、加工掩模版>>光刻>>离子刻蚀>>N型电极(镀膜、退火、刻蚀)>>P型电极(镀膜、退火、刻蚀)>>划片>>芯片分检、分级。(编辑：XGY)
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