沛鑫半导体100 lm/W高功率LED近期可望实现商用
2008-02-26
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来源：ledinside
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摘要： 富士康旗下LED制造商，沛鑫半导体表示，具有100 lm/W发光效率的高功率LED将在今年3月或4月投入商用。沛鑫半导体预计到2010年前LED光效率将会达到150 lm/W，有助于使用LED的街灯的成本减半。
富士康旗下LED制造商，沛鑫半导体表示，具有100 lm/W发光效率的高功率LED将在今年3月或4月投入商用。沛鑫半导体预计到2010年前LED光效率将会达到150 lm/W，有助于使用LED的街灯的成本减半。
先前日本LED大厂日亚化(Nichia)在2006年就推出了100 lm/W发光效率的LED。Cree公司的LED芯片的光效率可以达到130 lm/W，但由于成本高产品很难用于商用。因此，LED的光效率主要是70~80 lm/W，60~75 lm/W可以取代目前高压钠灯。
2006年至2010年，高功率LED照明应用的复合年增长率达到75.2%，市场规模在2008年达到3.8亿美元。（编辑:FJ）
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