编者按:人类的想象力永远在向前走。过去,我们的先辈架着马车想象火车、飞机,现在,我们把电影放在手心上看的时候想象着在空气中看立体电影。LED投影光源灯的进展让我们感觉到我们正在迈向下一个想象的路上,并且这些想象将在某年某月变成现实。
未来的某天,数码相机照片通过手掌大小的机器放出40″画面,手机收看的电视图像居然有15″,有人好奇“怎么回事?”。答案:这是LED投影将给我们创造的惊喜。
前投影机和背投电视的全球销量目前已达一千多万台,CRT背投电视销量开始呈减少态势,而LCD、DLP、LCOS微显示的前投和背投销量达八百多万台,仍在持续增长。
微显示前投和背投均需要外光源提供照明。传统的投影光源是高强度的气体放电灯(HID),主流投影产品几乎都采用超高压汞灯(UHP)。近两年,应用固体发光原理的LED灯开始用做投影产品的光源灯。LED投影给投影显示产品,以及移动数码图像产品带来的影响,值得LED和投影两方面的从业者关注。
LED投影
LED投影系指采用LED光源的所有投影装置,给投影冠以光源特征。它可分为四类,应用领域有别,光输出等性能也存在明显差异(如表1)。
首先说口袋式投影机(Pocket Projector,如图1),它小型轻量到可置于手掌上或口袋中,画面可供数人观看,主要作个人应用,也可用于移动商务。近几年,移动数码图像产品种类层出不穷,销量突飞猛进,移动投影也被推荐为NB、Laptop PC、PDA、Mobil DVD、DSC、DV、PMP以及Mobil Phone等的显示伴侣,用以获得比原屏幕大得多的画面。
第二类称为集成式投影机(Integrated Projector,如图2),它无须单独机壳,以组件形式将LED投影光机组合到其它数码产品中,投出比原有直视屏幕大的图像。它组合在多媒体手机中的应用最为诱人。
第三类称为便携式投影机(Portable Projector),尺寸和重量比前述口袋式投影机大,类似于目前采用UHP灯的超便携投影机,适用于商用和家用。
第四类称为背投电视(RPTV),以家用为主。
一、二类产品市场是LED投影开拓的独有领地,传统UHP投影过去没有以后也难以进入该新市场;而三、四类产品市场却原本是UHP投影的传统优势领域,LED投影虽未创造新的用途,但其目前所具有的和潜在的优势足以激发替代的或者新型的市场需求。
未来几年内,投影产品必将逐步展现出新趋势:微型的LED投影机将伴随电视手机等热门数码产品大行其道,LED背投将在家用背投的全尺寸范围内叫板UHP微显背投,便携式LED前投则将在80″以内的应用中挑战传统前投。
图1 口袋式LED投影产品
图2 集成式LED投影原理样机
表1 四类LED投影的性能特征(至2010年)
|
画面尺寸
inch |
光输出
lm |
供电方式 |
体积
cm3 |
重量
g |
集成式 |
5 ~ 15 |
5 ~ 15 |
电池 |
﹤50 |
﹤100 |
口袋式 |
15 ~ 40 |
30 ~ 50
50 ~ 100 |
电池或外接
交直变流电源 |
﹤600 |
﹤500 |
便携式 |
30 ~ 80 |
200~400
400~800 |
交流 |
﹤3000 |
﹤1500 |
背投 |
40 ~ 70 |
200~500 |
交流 |
/ |
/ |
投影光源
投影光源灯
投影光源灯仍在继续演变。投影装置先使用卤素灯,之后被金卤灯取代。九十年代中期之后,UHP灯出现并迅速在主流投影产品中取代金卤灯。2005年,LED灯作为投影光源,开始用于微型投影产品,已展现出好的发展前景。
投影光源灯的演变极大促进了投影产品性能的提高,卤素灯、金卤灯、UHP灯的顺次替换是技术发展的必然。然而,决定更替的因素并非某项技术指标的改进,而是全面技术指标、成本价格和产业链成熟度的综合评价。LED与UHP相比,既有许多性能优势,也有光输出较低的劣势。这就注定只有在小画面尺寸的应用中,LED投影目前才具有竞争优势。LED确实引发了投影产品的新趋势,提升LED投影光源灯的综合评价也有很大的空间。笔者并不同意LED投影灯将在几年后取代UHP投影灯的说法,认为至少在此后十年内,LED灯将在投影应用领域中逐步成长,与UHP灯互补互促,并行发展。
实际上,投影光源灯还不只上述四种。多年以来,氙灯用于高流明输出的投影装置,数量不多,但地位稳固。前两年出现采用激光光源的背投,今年的CES(全球消费电子展)展出了采用高频无极灯(electrodless discharge lamp RF driven)的背投,并先后获得展会相关的技术创新奖,不过,它们成为有竞争优势的产品之路还比较长。
LED投影光源
投影光源主要由驱动电路、LED器件(芯片)、初级光学元件、热沉等部分组成。近两年这些部分各自都获得了不同的进展。主要设计考虑包括:
·LED(器件或芯片)种类和数量,满足光源光学扩展量、光输出、光色、功耗、排列等要求。
·基板利于散热和热沉组合装配,便于内外连接、热管理控制、防静电损坏等。
·散热路径各部分的热阻都低并有效冷却,减少热积累和温升,降低结温,保持LED光输出和颜色稳定。
· 驱动电路效率高,驱动电流设置有利于高效和可靠发挥LED性能。
·初级光学元件的收集入射角与LED匹配,收集率和透过率高,出射角度小,使尽量多的光能进入引擎。
·长寿命、高可靠、低成本、体小量轻。
投影光源关注LED技术
光源可利用的光输出和引擎光效决定引擎光输出,这是LED投影光学引擎设计的关键。提高LED光输出的主要途径在于增大发光效率和输入功率,而光源光输出的可利用来源于光学引擎的系统光束扩展量限制。
增大发光效率
LED发光效率ηL = ηLM×ηLE
式中,极限流明效率ηLM = C×E(λ)×V(λ)
极限流明效率ηLM由LED的光谱特性确定,增大发光效率的实质是提高能量利用效率ηLE。
色光和RGB白光LED的能量利用效率ηLE = EQE ×ηWP ×ηP
而荧光白光LED的能量利用效率ηLE = EQE ×ηWP ×ηP ×ηC
上述式子中,常数C=683 lm/W,E(λ)相对光谱能量分布函数,V(λ)光谱光视效率函数,EQE外量子效率,ηWP电功效率,ηP封装效率,ηC荧光效率。
随着EQE、ηWP、ηP、ηC,因而ηLE这些能量利用效率逐步提升,发光效率ηL也朝着其极限值——光谱流明效率ηLM逐步提高。
先以荧光白光功率LED为例,引述受美国能源部资助的固体发光研究发展计划(2006年3月)的相关数据,如表2所示。
表2 荧光白光功率LED的能量利用效率前景
年份 |
内量子
效率
IQE |
取光
效率
χ |
外量子
效率
EQE=IQE*χ |
电功
效率
ηWP |
荧光
效率
ηC |
封装
效率
ηP |
器件能量
利用效率
ηLE |
2005 |
60% |
50% |
30% |
80% |
70% |
80% |
13% |
2020~2025 |
90% |
90% |
81% |
90% |
85% |
90% |
56% |
EQE是能量利用效率的主要影响因素,05年低至30%,有很大改进余地,当然ηWP、ηP、ηC也有10~20%的提升空间。LED产业上游是衬底和外延片,中游是芯片,下游为器件封装。IQE主要取决于外延片 ;χ则主要取决于芯片,也和封装相关。该计划指出,IQE和χ将分别从2005年的60%和50%,提高到2020~2025年的90%目标,因此EQE将从30%增大到81%,ηLE也将从13%攀升至56%,增加了3.3倍。考虑到不同色温,功率白光LED的极限流明效率ηLM大约在300~400 lm/w之间。于是,它的发光效率ηL将从05年的40~50 lm/w增加到2020~2025年的170~220 lm/w,近年来,白光LED发光效率ηL的实际进展也确实令人鼓舞。
LED投影光源经常采用色光LED。引述同一份计划的相关数据,如表3所示。
表3 色光功率LED的能量利用效率前景
年份 |
色光 |
内量子
效率
IQE |
取光
效率
χ |
外量子
效率
EQE=IQE*χ |
电功
效率
ηW P |
封装
效率
ηP |
器件能量
利用效率
ηLE |
2005 |
R |
80% |
50% |
40% |
80% |
80% |
26% |
G |
20% |
50% |
10% |
6.4% |
B |
60% |
50% |
30% |
19% |
2020~2025 |
R |
90% |
90% |
81% |
90% |
90% |
66% |
G |
B |
量子效率依然是影响色光功率LED能量利用效率的主要因素,尤其05年绿光LED的EQE低达10%。到2020~2025年,三基色LED的EQE和ηLE均要达到81%和66%的目标值。色光LED的衬底、外延片、芯片和封装技术将有很大的改进,特别是绿光LED的外延和芯片技术需要更大的改进,以便大幅度提高IQE和EQE。
增大输入功率
LED的输入功率Pd = If×Vf
增大具有一定芯片面积的LED的正向电流If就是增大电流密度,增加注入电子数,当量子效率相同时,芯片的出射光子数增加,输出光通量增加。器件矩阵或芯片矩阵的LED光源能输出高光通量,其实质是通过增大LED的发光面积来增大If,因此增大Pd。多芯片矩阵技术的进展有一些很好的报道结果,如发光区面积50×50mm的白光源输出8250 lm,功率密度高达330 lm/cm2。这类光源并非专门为投影设计。不过,可以肯定采用多芯片矩阵将是LED投影光源的一种主要形式。
通过改进LED的芯片和封装技术,例如减薄芯片和降低电极接触电阻,使一定If下的Vf下降,对提高光输出也有意义。对GaN基的LED,Vf降低0.15~0.2 V,相当于或者正向电流提高了5%,或者发光效率增加了5%。
投影可利用的光源光输出
与其它LED照明不同,有效利用LED投影光源的光输出是一个突出问题,因为可用光输出受到投影系统光束扩展量的限制。
任何投影系统均需考虑光源的光束扩展对照明效率的影响。LED投影光源的发光效率尚需提高,而用作投影光源时,它的发射光束空间分布特性也需改进。光束扩展的量度用光束的面积和空间立体角表示。LED光源的光束扩展量影响光能在照明光学系统中的传输效率。投影照明系统的设计目标之一就是让光源的光能高效地传输到投影成像器件,保持高照明效率。投影成像器件的光束扩展量也称系统光束扩展量,它限制着LED投影光源的光束扩展量。微显示成像器件的对角尺寸小于1″,随着成像器件技术进步,为成本降低,对角尺寸甚至已经小到0.5″,因此对LED光源的光束扩展量的限制趋于更加严格。
系统光束扩展量
Ed =πAd / 4F 2
光源光束扩展量
Es =πAssin2θs
两式表明,Ed正比于成像器件面积Ad,反比于投影镜头的F﹟;而Es则与发光面积As和对发光光束的收集半角θs都成正比。原理上一般认为要有效地将光能从光源收集并传输到成像器件,应满足Es ≤Ed。
减小As和发光光束的立体角Ωs(或光束的收集半角θs),即减小光源光束扩展量,有利于光能的传输效率。当发光效率ηL一定时,减小As会导致If下降,发射光输出下降。所以,在考虑LED芯片发光的面扩展时,需通过提高ηL来减小As。减小Ωs不影响光源光输出,却无疑对传输效率有利。在满足Es≤Ed限制的前提下,减小发光光束的立体角,有利于增大As,比如采用矩阵光源形式增大As,从而增大光源光输出。
单位立体角内和单位发光面积上,输出更多的光通量是投影光源选择LED的主要判据。
由此判据,发光效率高、输入功率大、发光角度小的LED最适合用做投影光源。
投影光源关注LED技术
改进光效的芯片技术已经报道过多种,对于正装芯片结构,位于前列的改进技术包括光子晶体(PC)、微芯片阵列、表面粗化、透明电极及其粗化等。
偏振光LED技术,对采用液晶基成像器件(LCD、LCOS)投影的光源以及直视式液晶显示的背光源均意义重大。目前的非偏振光LED有一半的光能不能透过液晶层用于成像照明,因此照明效率减半。偏振光LED涉及到特殊的外延片和芯片技术,正在研发进程中,目前的发光效率较低,实用化前景尚不明朗。
目前的功率LED主要应用于非投影照明领域,1~5w功率LED的辐射特性呈朗伯分布,半辐射功率半角值(与收集半角θs相近)一般为60°~70°。另一方面,LED的取光效率和外量子效率较低,导致发光效率不高。LED芯片的光子晶体技术可同时达到发光效率高且辐射功率半角小的效果,非常适合做投影光源灯,值得投影应用特别关注。
因半导体材料的折射率远高于空气或芯片包封材料的折射率,传统LED有源区发射出来的光,在芯片表面引起全反射。折射率比值越大,发生全反射的临界角越小,光线在表面处的入射角越容易大于临界角,从而反射回芯片体内,被材料吸收,大部分光不能通过表面折射而出射到芯片外面,故取光效率低,发光效率低。
光子晶体LED芯片表面被微结构覆盖,如图3所示,报道的微结构有园孔、园柱、棱柱等形状,线度达亚微米级。由于表面层介质变化,全反射临界角变大;又由于衍射的影响,修正了光线在表面处的入射角,使之比临界角还小。因此有更多的光线能够投射到表面外,有助于提高光效,同时还控制了出射角度。设计适当的结构周期和高度,目前发光效率已经提高到1.5~1.7倍,发光半角减小到50°,半角内的辐射特性近于矩形分布。
图3 芯片表面的光子晶体结构
两种新型LED背投光源
Luminus Device和Osram 两公司依靠各自独特的芯片和封装技术,能提供目前最好的背投影光源。Luminus采用光子晶体技术,Osram通过以表面粗化和薄层为特征的纯表面发射技术,两者均同时达到了提高发光效率和降低发光角的目标,在LED背投应用中处于领先地位(如图4)。
图4 LED背投光源:Luminus(左)和Qsram(右)
表4 两家公司的LED背投光源
公司 |
Luminus Device |
Osram-OS |
备 注 |
商标 |
PhlatLight |
Ostar RPTV |
Ostar带锥形收集器 |
型号 |
PT85 |
/ |
|
单色光源面积 mm2 |
8.6 |
24.5 |
|
发光(收集)半角 |
50°(发光半角) |
25°(收集半角) |
|
光源(收集)E mm2sr |
18.6(Es) |
32.5(Ec) |
|
微显(MD)对角线
inch |
0.7 |
0.85~0.95 |
型号PhlatLight- PT180
用于0.8~0.9″的MD |
投影镜头F数 |
2.4 |
2.4 |
|
热阻(结到基板)K/W |
1.0 |
1.05 |
|
单片微显 Ed |
18.3 |
32.0 |
|
R、G、B光通量 lm |
800、1000、150 |
750、1250、180 |
|
*白平衡光通量 lm
(R︰G︰B=3︰7︰1) |
1400 |
1800 |
PhlatLight- PT180
达到2000 lm |
表4参数引自论文报道,暂未查到公司的产品说明书。采用此两种LED背投光源,投影引擎光输出均可达300 lm,亮度则可达300~500nit,视背投屏幕尺寸和性能而定。据报道,06年CES展会上五家公司的LED背投都采用Luminus的PhlatLight光源。
作者简介:
范朝勋:成都市人,教授级高工。毕业于西安电子科技大学,曾任大学教师、大型电子企业副总工、科技股份公司副总裁、光电显示工程技术中心首席专家。近十多年的主要研究方向为光电显示,近年集中从事LED投影和半导体照明技术。