AIXTRON Planetary降低了SiCED成本
2007-11-16
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来源：中国半导体照明网译
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摘要： 2007年11月13日，AIXTRON宣布SiCED Electronics Development 股份有限公司选择AIX 2800G4 HT MOCVD系统生产电力电子用10x100 mm(4英寸)及未来的6x150 mm(6英寸)SiC晶片。
2007年11月13日，AIXTRON宣布SiCED Electronics Development 股份有限公司选择AIX 2800G4 HT MOCVD系统生产电力电子用10x100 mm(4英寸)及未来的6x150 mm(6英寸)SiC晶片。SiCED指出SiC材料生产技术在电力电子器件方面已成熟，公司现正在为未来准备。有了AIX 2800G4系统，SiCED的100mmSiC晶片产能将获显著提高。由于AIXTRON的高产量外延生产设备可使150mm晶片产量增倍，这为SiCED向更大直径尺寸的晶片转移做好了准备。（编辑：PCL）
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