OSRAM发表绿色LED，改善了「Droop」现象
2007-09-21
作者：未知
来源：中国半导体照明网
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摘要： 近日，德国欧司朗光电半导体（OSRAM Opto Semiconductors）在「ICNS-7」展会上发表一款绿色LED。该款绿光LED芯片在1A驱动下，光通量为191lm、发光效率为48lm/W、波长为527nm。
近日，德国欧司朗光电半导体(OSRAM Opto Semiconductors)在「ICNS-7」展会上发表一款绿色LED。该款绿光LED芯片在1A驱动下，光通量为191lm、发光效率为48lm/W、波长为527nm。
芯片尺寸为1mm，采用350mA的电流驱动时，光通量为100lm、发光效率为81lm/W、波长为532nm。
欧司朗还试产了尺寸为460μm×255μm的芯片。在20mA驱动时发光效率为107lm、振荡波长为532nm。这两种产品有效改善了「Droop」现象(蓝色LED、绿色LED等将InGaN作为发光层的LED在提高输入电流密度时发光效率出现下降的现象)，亮度得到大大提高。(编辑：XGY)
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