神灯奖：晶能光电-硅基大功率LED蓝光芯片
晶能光电硅基大功率LED蓝光芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基LED器件，结合了高效GaN外延技术和具有自主知识产权的硅衬底LED芯片技术，是目前全球唯一商品化的硅基大功率产品。具有完整的自主知识产权保护，产品可销往国际市场，不受国际专利限制，是名符其实的中国芯。
45mil的硅基LED芯片发光效率超过130lm/W，封装后蓝光功率最高可达615mW，白光光通量最高可达145lm。硅基LED芯片具有垂直结构、正向电压低、发光呈朗伯分布的特点，可广泛应用于便携式照明、LCD背光、户内照明和户外照明。目前已经成功应用于路灯、球泡灯、手电筒、矿灯头灯等室内外中高端照明产品。
硅基LED芯片具有以下特性：
1、采用银反射镜电极，电流分布更均匀，可用大电流驱动。
2、硅衬底比蓝宝石衬底散热好。
3、具有朗伯发光形貌，白光出光均匀，容易二次配光。
4、打线少，可靠性高。
5、可采用导电银胶，焊锡或共晶焊固晶。
6、硅基LED芯片单面出光，且分布均匀，适合做荧光粉直涂的直接白光芯片，降低封装成本。
7、适合于陶瓷基板封装。
获奖情况
1、硅衬底GaN基LED蓝绿光芯片项目荣获“2008中国LED技术创新奖”。
2、 硅衬底功率型蓝光LED芯片荣获“2009年度中国LED技术创新奖”。
3、晶能光电荣获2010年全球清洁技术企业100强。
4、晶能光电荣获2011年世界最具创新力企业50强。
5、晶能光电的硅基大功率LED芯片量产被国际半导体照明联盟（ISA）评选为2012年全球半导体照明年度事件。
6、GaN-On-Si LED外延芯片制备技术/硅基大功率蓝光芯片荣获“2012年中国LED创新产品和技术奖”
晶能光电产品专利所获专利列表：
晶能产品检测报告：
第三方检测报告：
晶能产品用户证明：
