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硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率，有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上，晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖，是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。
https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24
2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上，华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaN基led的研究进展”的精彩演讲。
https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39
韩国高丽大学材料科学与工程系主任tae yeon seong 教授在题为《通过增强电流注入和传输来提高GaN基发光二极管性能》的报告中首先概括总结GaN基led的应用，然后详细介
https://www.alighting.cn/news/20080801/104244.htm2008/8/1 0:00:00
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
2007年5月24日，台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮(hb)ga
https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:39
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:29
乾照光电和武汉大学研究人员表示，他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此
https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05
