三安光电GaN基薄膜LED获美国专利证书
2011-09-14
作者：LEDth
来源：新世纪LED网
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摘要： 三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基LED取光效率，有效提升照明级白光LED芯片亮度及技术水平。
三安光电今日公告称，9月9日，公司全资子公司厦门市三安光电科技有限公司收到美国专利商标局下发的专利证书，专利名称为制作GaN基薄膜LED的方法。
三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基LED取光效率，有效提升照明级白光LED芯片亮度及技术水平。
关于三安光电
三安光电股份有限公司，承担着国家“863”重大课题，拥有国家级博士后科研工作站及国家级企业技术中心。公司坐落于厦门国际会展中心北侧，占地面积5万平方米，是一座现代化花园式工厂。
公司主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片，化合物太阳能电池、PIN光电探测器芯片等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。公司以打造拥有独立自主知识产权的民族高科技企业为已任，以创建国际一流企业为愿景。拥有1000级到10000级的现代化洁净厂房，千余台(套)国内外最先进的LED外延生长和芯片制造设备，在天津三安三期扩产完毕之时，MOCVD总数将达到100台以上，其规模为国内第一名，国际前十名。已实现年产外延片65万片，芯片200亿粒的生产规模。
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