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目前，led行业发展的主要的瓶颈就在技术层面，专利被大量注册在某种层面上的也制约了新技术的传播和发展，本章介绍六种在led生产中的技术；
https://www.alighting.cn/resource/20101129/128179.htm2010/11/29 17:27:34
为改善gan 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
尽管随着对gan材料发光机理的深入研究，gan基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
、全角反射镜(odr)、外延片键合、激光剥离技术(LLO)、倒装技术(flip chip)、光子晶体技术(phonic crystal)、ac led技术等，最后谈论了led芯片技
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
led的应用面很广，然而芯片本身价格过高和发光效率有待提升的问题，始终困扰着led照明技术的推广普及。发光效率要提升，就要有效增加取出效率。
https://www.alighting.cn/resource/20110414/127751.htm2011/4/14 13:06:53
led本身不断进行高辉度、低消费电力、长寿命进化，市场对le的低价化要求也越来越强烈，因此各led厂商革新制程成为主要课题。接着要介绍高效率切割高辉度led蓝宝石基板的雷射加工技
https://www.alighting.cn/2011/10/28 17:41:03
