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过渡对ge衬底gaas外延晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延。通过改变gaas过渡的生长温度对gaas外延进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44

oled生产中将有机敷涂到基上三种方法

oled生产过程中最重要的一环是将有机按照驱动矩阵的要求敷涂到基上,形成关键的发光显示单元。oled是一种固体材料,其高精度涂覆技术的发展是制约oled产品化的关键。

  https://www.alighting.cn/resource/20120913/126408.htm2012/9/13 14:13:35

tcta对红绿磷光有机电致发光器件发光激子的调控作用

本文通过改变器件结构的方法来改善红绿磷光器件性能,制备了以cbp为主体,gir1和r-4b为绿、红磷光掺杂的oled器件。利用红绿双发光间加入较薄间隔的方法,得到了发光性能较

  https://www.alighting.cn/2015/3/17 11:04:59

dpvbi空穴阻挡对oled性能的优化

研究了宽带隙有机小分子材料dpvbi作为空穴阻挡对oled器件效率和亮度的优化作用。

  https://www.alighting.cn/resource/20141226/123849.htm2014/12/26 10:16:45

aln缓冲对algan表面形貌的影响

使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的algan样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲的晶体质量,

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48

cob金属基板镀银变色原因

新世纪led网整理了业内高工总结的关于cob封装基板,镀银变色的原因,

  https://www.alighting.cn/resource/20121210/126267.htm2012/12/10 10:09:35

荧光灯粉用材料和工艺(图)

本文论述了荧光灯粉用材料和关键工艺技术。

  https://www.alighting.cn/resource/200954/V19591.htm2009/5/4 10:57:23

插入电荷控制对蓝色oled发光性能的提高

通常的量子阱结构是由势垒和势阱构成。势垒一般具有较高的lumo 能级以及较低的homo能级, 载流子经过势垒后会被限制在势阱中,从而使载流子在势阱(即发光) 中有效

  https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:28:54

空穴传输厚度对oled性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(pvk)作为空穴传输,8-羟基喹啉铝(alq3)作为发光,制备了结构为ito/pvk(0~60nm)/alq3(60nm)/mg:ag/al的有机发光二

  https://www.alighting.cn/2013/6/5 14:40:41

缓冲生长压力对mocvd gan性能的影响

利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲的生长压力对高温生长gan外延性能的影响规律.在位监测曲线及扫

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

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