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路灯按钮接触联锁电路原理图

路灯按钮接触联锁电路原理图,可进行自动、手动、手动停止控制,欢迎下载参考!

  https://www.alighting.cn/resource/200818/V256.htm2008/1/8 13:25:30

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体件的性能,必

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

p型gan欧姆接触的研究进展

宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53

两步镀膜ti/al/ti/au的n型gan欧姆接触研究

报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型gan欧姆接触。首先在掺硅的n型gan(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi

  https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54

氧化对gan基led透明电极接触特性的影响

研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

硅衬底gan基ledn极性n型欧姆接触研究

在si衬底gan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

层之后制备pt/p-gan欧姆接触

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

oakridge国家实验室声称全面提升oled发光效率

oakridge国家实验室声称,通过向oled中掺杂磁纳米粒子,可使oled的效率提高30%。把磁性材料引入oled之中,将使亮度得到控制,而不必附加电接触

  https://www.alighting.cn/resource/20070721/128516.htm2007/7/21 0:00:00

工程师分享:电力电容保护的应用技巧

电力电容保护主要作为电力电容及补偿补偿电路中出现的过流、短路,涌流,谐波,过压等故障进行保护。这里工程师为大家分享关于电力电容保护的应用技巧及注意事项。

  https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:52:34

制备高反射率led ag基欧姆接触(图)

为了在p-gan上获得低电阻的欧姆接触,人们对具有高反射系数和平滑表面形貌优点的金属蒸镀方法进行了研究。

  https://www.alighting.cn/resource/200858/V15509.htm2008/5/8 10:55:47

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