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采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法，系统研究了不同应力作用下gan的电子结构和光学性质，对比分析了外压调制对gan的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构gan的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
采用固相法合成了a:(srba)3sio5:0.024ce3+,0.024li+;b:sr2.73m0.2sio5:0.07eu2+(m=ba,mg,ca);c:(srba)3si
https://www.alighting.cn/resource/20130927/125281.htm2013/9/27 17:34:18
照明技术的实质主要是光的控制与分配技术，因此有必要了解光的一些基本概念。本章主要阐述光的度量，包括辐射度量和光度量，重点介绍光度学的各物理量。其次将叙述物质的一些光学性质，它们将
https://www.alighting.cn/resource/2014/10/27/153223_97.htm2014/10/27 15:32:23
室温下观察到zno/znmgo 单量子阱的量子约束效应，这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45
光性质及光吸收性
https://www.alighting.cn/2014/8/26 10:15:14
