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在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后gan材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备gan基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
一份关于蓝宝石衬底的详细介绍，现在分享给大家，欢迎各位下载附件，查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:05:11
属氧化物化学气相沉积(mocvd)技术在图形蓝宝石衬底(pss)上生长2μm厚的n型gan层,4层量子阱和200nm厚的p型gan层,形成led结构
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31
通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127395.htm2011/7/26 11:57:10
