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当高科超薄晶体霓虹发光片的两极间通电后，发光层内就建立了电场，电子在电场的作用下逆电场方向加速运动，当电场强度足够强，运动状态电子数量足够多，速度足够快时，通过碰撞，发光材料电
https://www.alighting.cn/resource/200759/V12521.htm2007/5/9 17:19:58
介绍了对新型发光二极管外延片光致发光系统的改进,以vc.net为语言工具编制软件,对发光二极管外延片关键性能参数的测量结果进行分析。增加了薄膜厚度测量的性能,完善了测量系统的功
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1066.htm2010/1/18 14:56:30
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128087.htm2011/1/11 16:29:26
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00
早期在小积体电路时代，每一个6寸的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8寸的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动辄投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
目前商业化生产采用的是两步生长工艺，但一次可装入衬底数有限，6片机比较成熟，20片左右的机台还在成熟中，片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是两个方向：一是开发可一次在反应室
https://www.alighting.cn/resource/20100727/128331.htm2010/7/27 13:17:38
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127604.htm2011/5/17 13:32:57
应用cosmos软件对led粘片机芯片拾取臂的振动情况进行了分析:通过cos-mosworks软件对该结构进行了模态分析得到该结构的固有频率;通过cosmosmotion软件对
https://www.alighting.cn/resource/20110822/127270.htm2011/8/22 15:26:11
