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过渡层对ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44

采用mocvd方法在GaAs衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

mbe低温生长GaAs在器件应用上的回顾与新进展

在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的GaAs(ltg-GaAs)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

采用mocvd方法在GaAs衬底上生长zno(002)和zno(100)薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54

led衬底|基板(substrate)

料的led芯片,则使用蓝宝石、sic和si等作为基板,如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片,则使用 GaAs等作为基

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

高价格gan衬底实现高性能

根据richard stevenson的报道,目前只有少数公司生产gan衬底,价格昂贵,很难批量生产。

  https://www.alighting.cn/resource/20040714/128409.htm2004/7/14 0:00:00

芯片位置对红外二极管辐射强度在空间分布的影响

采用射线追踪法,计算了两种红外二极管辐射强度随空间角度的变化关系,并将计算结果与实测数据进行了比较。

  https://www.alighting.cn/2014/12/30 12:05:07

浅析:led产生有色光的方法

led的发光顏色和发光效率与制作led的材料和工艺有关,目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由于led工作电压低(仅1.5-3v),能主动发光且有一定亮度,亮度又能用电压(或电流)调节

  https://www.alighting.cn/resource/20110512/127633.htm2011/5/12 10:45:04

led取代白炽灯逐步应用于汽车照明

几年来,汽车工业一直将led显示器用于仪表板设计。时钟、无线电、速度表、转速计、温度、油压、燃料和其他信息以及状态指示器等都已采用自照明数字式显示器替代白炽灯照明的模拟显示器。传统

  https://www.alighting.cn/resource/20060727/128802.htm2006/7/27 0:00:00

algainp红光垂直结构超高亮度led芯片研制

algainp四元系发光二极管一般使用GaAs衬底,由于GaAs衬底的禁带宽度比algainp窄,有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉,使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸

  https://www.alighting.cn/resource/20090903/128995.htm2009/9/3 0:00:00

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