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新世纪光电blue inGaN/GaN led chip p2 (45)规格说明书

本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN led chip p2 (45)led芯片的规格书。

https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46

晶元芯片：inGaN venus blue led chip es-cablv45c【pdf】

晶元芯片：inGaN venus blue led chip es-cablv45c的详细资料，提供pdf全文下载，推荐下载；

https://www.alighting.cn/resource/20110330/127805.htm2011/3/30 13:38:21

【led术语】GaN(gallium nitride)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27

GaN氮化镓(gallium nitride)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

标准GaN外延生长流程

本文为《标准GaN外延生长流程》以图文结合的方式阐述了GaN基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。

https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49

p型GaN欧姆接触的研究进展

宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几

https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53

GaN的极性特征、测量及应用

GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方

https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53

GaN基材的3种特性

GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54

什么是GaN的最佳衬底？

对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上GaN明显是一种领先的方案;sic上GaN几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上GaN也是用于这几个市场，但

https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37

mocvd生长GaN和GaN:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

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