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β-ga2O3用于高功率led 可将光输出提高5倍以上

β-ga2O3不仅可用于功率元件,而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等,应用范围很广。其中,使用gan类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09

用氧化铝和硅作为led集成封装基板材料的热阻比较分析

本文分析了用氧化铝(Al2O3)和硅(si)作为led集成封装基板材料时的热阻对比。

  https://www.alighting.cn/resource/20101229/128115.htm2010/12/29 17:36:21

cl_2/bcl_3icp刻蚀蓝宝石研究

本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随

  https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04

白光led散热与O2pera封装技术

本文要以表面封装型led为焦点,介绍表面封装用基板要求的特性、功能,以及设计上的经常面临的散热技术问题,同时探讨O2pera(Optimized Output b

  https://www.alighting.cn/resource/20111125/126850.htm2011/11/25 14:30:54

蓝宝石,硅 (si),碳化硅(sic)led衬底材料的选用比较

对于制作led芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。

  https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02

蓝宝石(Al2O3)等led衬底材料的选用比较

对于制作led芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。

  https://www.alighting.cn/resource/20100902/127972.htm2010/9/2 14:10:59

mOcvd生长中利用Al双原子层控制和转变gan的极性

讨论了采用mOcvd在Al2 O3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一

  https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23

led蓝宝石基板介绍

蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有a-plane,c-plane及r-plane.由

  https://www.alighting.cn/2011/9/22 15:43:12

led蓝宝石基板技术介绍

目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质,而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关,蓝宝石(单晶Al2O3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40

led蓝宝石基板

蓝宝石(Al2O3,英文名为sapphire)为製成氮化镓(gan)磊晶发光层的主要基板材质,gan可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi

  https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22

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