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本文通过改变器件结构的方法来改善红绿磷光器件性能,制备了以cbp为主体,gir1和r-4b为绿、红磷光掺杂的oled器件。利用红绿双发光层间加入较薄间隔层的方法,得到了发光性能较
https://www.alighting.cn/2015/3/17 11:04:59
通常的量子阱结构是由势垒层和势阱层构成。势垒层一般具有较高的lumo 能级以及较低的homo能级, 载流子经过势垒层后会被限制在势阱层中,从而使载流子在势阱层(即发光层) 中有效
https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:28:54
件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleds器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
结果表明, 当超薄层bcp的厚度从0. 1nm 逐渐增加到4. 0nm时, 器件的el光谱实现了绿光-蓝绿光-蓝光的变化; bcp层有效地调节了载流子的复合区域, 改变了器件的发
https://www.alighting.cn/2015/1/9 13:46:40
实验结果表明,中间层的加入促进了发光层中电子和空穴的平衡并抑制了发光层之间的能量转移。加入适当厚度的中间层之后,器件的性能得到了明显的提升,相比于无中间层器件,最高电流效率由3
https://www.alighting.cn/2015/2/5 10:40:43
对这种发光器件性能的影响。在普通有机电致发光器件空穴传输层和发光层之间直接蒸镀一层纳米zno薄膜,当纳米zno薄膜的厚度为1nm时,器件的电流效率可达3.26cd/a,是没有纳米zn
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
m):gdi691(x%)/alq3(20 nm)/lif(1 nm)/al(50 nm),其中x%为发光层掺杂浓度,分别取1、2、3和4
https://www.alighting.cn/2013/5/28 14:15:17
oled生产过程中最重要的一环是将有机层按照驱动矩阵的要求敷涂到基层上，形成关键的发光显示单元。oled是一种固体材料，其高精度涂覆技术的发展是制约oled产品化的关键。
https://www.alighting.cn/resource/20120913/126408.htm2012/9/13 14:13:35
研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/lif(
https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11
ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低，导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近，mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝
https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40
