日前，LED光电巨头欧司朗宣布，公司通过优化外延工艺，可以大大减少LED芯片的Droop效应，使LED的量子效率在电流密度为每平方毫米3安(3A/mm2)的条件下相比以往提高7.5%。从而获得LED性能上的提升，极大改善了高功率LED的发光效率。

　　欧司朗光电克服Droop效应大大提升高功率LED效率

　　据悉，LED的Droop效应是指向芯片输入较大电力时LED的光效反而会降低的现象。Droop效应决定了单个LED所能工作的最大电流，因而要实现大光通量必须采用多颗LED或多芯片，或者通过采用增加芯片面积的方式而减少电流密度的方法，这就会导致高功率LED器件的成本大幅增加。在LED业界和学术界，Droop效应一直是大家争相研究和攻克的技术难题。

　　欧司朗表示，目前公司的工程师已经克服了这个难题，实现了LED器件效率的显著提高。在实验室条件下，欧司朗验证了在每平方毫米3安(3A/mm2)的电流密度下，可实现LEDQFN封装芯片的典型光通量为740流明，这样的表现比以往的典型值(6200K，CX0.319，Cy0.323，单芯片版本LDxyz)提高了约7.5%。同时在每平方毫米0.35安(0.35A/mm2)的低电流密度下，优化后的LED仍然有4%的效率提高。

　　“通过对LED外延片的大范围修订和完善，我们已经能够大幅减少LED芯片的Droop现象。”项目经理AlexanderFrey博士表示，目前公司所有的LED器件都采用了基于UX：3芯片技术的新工艺。欧司朗光电表示，新工艺也将对其它大功率LED产品产生积极的影响。目前公司有计划将新的技术成果一步步集成到现有的产品组合当中。