2015年8月4日—推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出一系列新的符合AEC-Q100标准的集成电路(IC)，用于优化下一代汽车设计。

　　NBA3N200/1/6S多点低压差分信号传输(M-LVDS)线性驱动器/接收器系列工作电源3.3V。NBA3N200S和NBA3N201S都支持高达每秒200兆比特(Mbps)的信号传输速率，共模电压范围-1V至3.4V。这些器件有类别1(Type-1)接收器，以低至50毫伏(mV)的共模电压范围外的差分输入电压检测总线状态。在接收器上差分输入电压滞后25mV，防止由于缓慢变化的输入信号或输入损失在输出端产生振荡。NBA3N206S还使用阈值为0.1V的类别2(Type-2)接收器，支持200Mbps的信号传输速率。类别2接收器的偏置电压阈值功能可检测开路、闲置总线和其它各种可能损坏系统的故障情况。这些器件用于汽车应用如像素前大灯，特别针对LED前大灯控制单元和前大灯之间的数据传输。

　　140mV额定双输出线性稳压器NCV8154的输入电压范围为1.9V至5.25V，有两个独立的输入电压引脚。这器件高度优化用于为汽车信息娱乐系统中的射频(RF)模块供电，能以超低噪声和高电源抑制比(PSRR)提供非常稳定和极高精度电压。低压降(LDO)稳压器NCV8170专门针对便携式电池供电应用，如汽车无匙进入系统，消耗电流典型值仅500纳安(nA)。而且，动态瞬态增强特性加强了该器件的瞬态响应特性。NCV8715是一款50毫安(mA)的高稳定性的LDO，输入电压高达24V，接地电流消耗为4.7毫安(uA)，超过全输出负载范围。该器件非常适用于汽车级微控制器单元。NCV8154/NCV8715/NCV8170都提供热关断和限流保护特性，确保可靠运行。

　　公司还推出单N沟道MOSFET，能提供令人难以置信的低导通电阻值，从而最大限度地减少导通损耗，并提高整体工作能效水平。额定电压为40V的MOSFETNVMFS5C404NL、NVMFS5C410NL、NVMFS5C423NL和NVMFS5C442NL，在10V时导通电阻典型值分别为0.56m?、0.71m?、1.6m?和2.2m?。与这些器件相辅相成的是60VNVMFS5C604NL、NVMFS5C612NL、NVMFS5C646NL和NVMFS5C670NL，在10V时导通电阻典型值分别为0.93m?、1.2m?、3.8m?和5.1m?。这些器件扩展安森美半导体用于电源开关、负载开关、电机控制和其它汽车应用的广泛的MOSFET产品阵容。

　　封装和价格

　　NBA3N200S、NBA3N201S和NBA3N206S采用SOIC-8封装，每10,000片批量的单价为0.73美元。NCV8154采用DFN-10封装，每10,000片批量的单价为0.14美元。NCV8715采用xDFN-6封装，每10,000片批量的单价为0.12美元。NCV8170采用xDFN-4和SOT-563封装，每10,000片批量的单价分别为0.125美元和0.13美元。NVMFS5C404NL、NVMFS5C410NL、NVMFS5C423NL、NVMFS5C442NL、NVMFS5C604NL、NVMFS5C612NL、NVMFS5C646NL和NVMFS5C670NL都采用SO-8FL封装，每5,000片批量的单价在0.35美元至1.78美元之间。