LED照明技术及解决方案研发与制造厂商Bridgelux近日宣布，利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，并且不会在室温下弯曲变形，除了刷新先前在业界创下“氮化镓上硅技术”(GaN-on-Si)最高每瓦流明纪录外，同时也进一步提升硅基板氮化镓LED效能与可制造性的领先幅度。

　　Bridgelux执行长Bill Watkin表示，采用轻资产营运模式的Bridgelux将从硅基板的转换取得独特优势，该公司可利用自身LED磊晶研发与知识产权优势，与半导体制造商洽谈结盟。透过与半导体制造商的合作，进一步利用旧有半导体晶圆厂，对制造成本、利润与资本报酬率造成正面影响。

　　Bridgelux成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，其效能媲美现今的顶尖蓝宝石基板LED，冷白光LED的效能高达160 Lm/W，相对色温CCT为4350K。以氮化镓上硅晶圆制作的暖白光LED可提供125 Lm/W的效能，色温为2940K，演色性指数(CRT)则是80。

　　Bridgelux技术长Steve Lester表示，此次所公布的效能等级是目前氮化镓上硅技术迄今最高的Lm/W值，媲美最佳商品化等级的蓝宝石或碳化硅(SiC)生成LED，未来公司将继续发展氮化镓上硅制程，驱动LED商品从蓝宝石基板转换为硅基板，预计2年内首批商业氮化镓上硅产品就会上市。

　　相较于传统LED主要是以蓝宝石或碳化硅基板作为原料，Bridgelux分析，目前这两传统基板都比硅基板昂贵许多，因此，制作成本导致LED照明产品无法普及到住宅与商业建筑。然而在直径更大、成本低廉的硅晶圆上长成氮化镓，并采用与现代半导体生产线兼容的制程，其成本会比现有制程减少75%。Bridgelux的技术发展具备大幅降低LED制造成本的潜力，使其得以与传统白光照明技术竞争。

　　而氮化镓的热膨胀系数远大过硅，这种不协调的状况可能会在晶膜成长时或室温下导致磊晶膜破裂或晶圆弯曲变形。Bridgelux的独家缓冲层技术可产出在室温状态依然平滑的无裂痕晶圆。

　　采用350mA电流的1.5mm封装蓝光LED可发出591微瓦的亮度，其插座效率高达59%，超越所有已公布数值。此种LED拥有极低的运作电压，350mA电流的电压只有2.85伏特，适用于高电流密度环境。