李晋闽：未来5-10年 深紫外LED将成为主流技术
2011-04-11
作者：Joyce
来源：新世纪LED网
浏览量：
网友评论：
0
条
摘要： 2011年4月8日，在2011'中国(厦门)LED室内照明产业技术发展论坛上，中国半导体研究所所长李晋闽围绕半导体照明重大项目进展情况、半导体照明技术趋势以及存在的问题进行了精彩演讲。
2011年4月8日，在2011'中国(厦门)LED室内照明产业技术发展论坛上，中国科学院半导体研究所所长李晋闽围绕半导体照明重大项目进展情况、半导体照明技术趋势以及存在的问题进行了精彩演讲。
中科院半导体所所长李晋闽
在本次产业技术发展论坛上，李晋闽所长重点介绍了“LED前瞻技术--深紫外LED开发”，他表示这项技术未来重点的研究内容在于以下六点：
1） 基于蓝宝石衬底的高Al组分AlGaN材料的外延生长和掺杂技术;
2） AlGaInN四元合金材料的外延和掺杂技术;
3） 紫外LED结构材料外延技术;
4） 紫外LED用材料的分析表征技术;
5） 紫外LED器件研制技术;
6） AlN单晶材料制备技术
据Reportlinker的报告指出，深紫外LED的潜在市场达数十亿美元。这项技术与紫外汞灯相比，具有生态友好的显著优势，无毒、节能、环保。使用紫外LED激发荧光粉获得白光LED，符合国家节能减排的能源战略目标;对推动建设环境友好型、能源节约型社会具有重大而又深远的意义。
凡本网注明“来源：阿拉丁照明网”的所有作品，版权均属于阿拉丁照明网，转载请注明。
凡注明为其它来源的信息，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
凡注明为其它来源的信息，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
最新评论
用户名： 密码：
