士兰明芯高亮度红光LED芯片研发成功
2009-07-31
作者：
来源：EDN China
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摘要： 2008年底士兰明芯科技有限公司开始开发高亮度红光芯片，技术团队不断调整试验方案、优化工艺参数，使不同热膨胀系数材料之间的金属键合工艺窗口更宽，键合良率和可靠性得到保障。
2008年底士兰明芯科技有限公司开始开发高亮度红光芯片，技术团队不断调整试验方案、优化工艺参数，使不同热膨胀系数材料之间的金属键合工艺窗口更宽，键合良率和可靠性得到保障。
金属反光特性一直是影响红光芯片亮度的一个主要因素，通过大量试验，已经彻底解决了这一问题。
发光二极管的电极合金条件不合适会导致金丝键合时电极脱落，对于高亮度红光芯片而言，电极合金的工艺要求更高。为了解决好电极和红光外延层粘附性问题，士兰明芯的技术团队在表面处理、合金层结构、合金条件做了大量试验和重复验证工作，克服了电极容易脱落这一难题。
士兰明芯高亮度红光芯片的各项参数指标已达到先进的水平，2009年7月份进入批量生产。现在生产的芯片尺寸规格有280um×280um、350um×350um两种。 (编辑：XGY)
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