士兰明芯高亮度红光LED芯片研发成功
摘要: 2008年底士兰明芯科技有限公司开始开发高亮度红光芯片,技术团队不断调整试验方案、优化工艺参数,使不同热膨胀系数材料之间的金属键合工艺窗口更宽,键合良率和可靠性得到保障。
高亮度红光LED芯片是一种亮度高、可靠性好的发光器件。相对于普通结构的红光LED芯片,高亮度红光芯片采用键合工艺实现衬底置换,用到热性能好的硅衬底(硅的热导率约为1.5W/K.cm)代替砷化镓衬底(砷化镓的热导率约为0.8W/K.cm),芯片具有更低热阻值,散热性能更好,有利于提高可靠性。另外,在P-GaP上镀反射层,比普通红光外延层中生长DBR反射镜出光效率更高。为了克服光在芯片与封装材料界面处的全反射而降低取光效率,还在芯片制作一些表面纹理结构。相同尺寸相同波长的芯片,20mA电流下,两者光强相差两倍以上,图-1是高亮度红光芯片剖面示意图。图-2是芯片实物图片。
图-1高亮度红光芯片剖面示意图
图-2高亮度红光芯片
高亮度红光LED芯片因为本身发光效率高、可靠性好,主要应用于对亮度、可靠性要求较高的场合,比如幕墙屏幕、液晶显示屏LED背光源等领域。之前由于普通红光LED芯片亮度不够,在由红(R)绿(G)蓝(B)组成的一个全色模组中通常的构成是一颗蓝光芯片、一颗绿光芯片、两颗普通红光芯片。现在若使用高亮度红光芯片则一颗就可满足要求,而且可靠性高,维护成本明显降低。
目前市场上较多的是普通结构的红光芯片,价格已经很低,利润空间很小。高亮度红光芯片有较大的市场需求,由于在制造技术上有一定的难度,目前只有少数几家公司能批量供货,产品的性价比较高。
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