近日获悉，东贝光电(2499)、宏达电旗下的鸿达国际投资将参与全新光电(2455)4.832亿元的现金增资，进行太阳能电池磊芯片的研发与量产。

　　两家积极参与增资的原因主要有两方面。其一，看好全新光电在红光LED方面的技术。其二，全新光电近期有望提高砷化鎵的太阳能电池磊芯片的转换效率，预计年底前由目前的31%提高到35%。

　　不同于目前已缺货的硅外延片太阳能技术，全新光电运用化合物半导体材料可吸收较宽广之太阳光谱能量特性，大幅提高转换效率。

　　全新光电主管表示，化合物半导体材料仍存在材料价格高、推广难的问题。不过，由于转换效率较高、所需土地面积小，成为发电厂的备选项，应用前途广阔。

　　关于全新光电

　　全新光电成立于1996年11月，主要以有机金属气相外延成长法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)为核心技术，提供各种光电子/微电子元件的磊芯片代工, 并提供超高亮度LED芯片。

　　全新光电以HBT(异质接面双载子磊芯片)砷化鎵微波元件起家，近年积极跨入红光LED和太阳能电池磊芯片，全新的红光LED在业界的效率仅次于晶电，幷与华上光电在伯仲之间，因此引起下游厂商的注意。

　　除红光LED以外，全新光电因早期即投入太阳能电池研发，去年以「高效率聚光型多接面太阳能电池磊芯片」获经济部技术处主导性新产品计划，目前已达31%转换效率技术水准，预定年底前可将转换效率提高至35%，全新光电积极参与国内核能研究所高效率聚光型太阳能光电发电系统(HCPV)计划，是台湾太阳能电池磊芯片唯一得标厂商。（编辑：PCL）