松下开发出GaN衬底大功率白光LED
2007-03-06
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来源：中国半导体照明网
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摘要： 2007年3月2日，松下(Panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光LED芯片，其在350mA下的总辐射通量为355mW，外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月初，单价为500日圆，三月中旬将量产基于这些芯片的大功率白光LED系列，这在业内也是第一次。
2007年3月2日，松下(Panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光LED芯片，其在350mA下的总辐射通量为355mW，外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月初，单价为500日圆，三月中旬将量产基于这些芯片的大功率白光LED系列，这在业内也是第一次。
GaN衬底拥有良好的热、电传导性及晶体稳定性，制备出的LED器件可靠性高，其在高电流区域内的性能也得到大大提升。由于折射率(衬底)与发光层相同，GaN衬底LED芯片的光输出效率是传统蓝宝石衬底LED的1.5倍多。在蓝光LED芯片上涂敷均匀的荧光层可制备出颜色变化很小的大功率白光LED。
松下将生产三种型号的白光LED产品：LNJ090W3GRA(3W照明LED)、LNJ0H0V8KRA(反射型，最适于相机闪光灯)和LNJ0Y0F9KRA(点光源型，适用于尺寸超小的灯)。（编辑：PCL）
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