瞬态抑制二极管ESD03V32D-LC在射频口防护方案中的应用

一、应用背景

    1．全球气候变暖，雷雨天气增多

    2．射频很多置在室外，易受雷击

    3．传输速率高达1Gbps，结电容要求高

    4．高浪涌防护的安防设备成为趋势

二、防护方案与硕凯器件

陶瓷气体放电管（GDT）

    GDT【UN3E5-90LM】直流标称电压：90±20%V，冲击电流（8/20μS）：5kA，电容值＜1.5pF，电阻值＞1GΩ；

    GDT【UN3E6-90MM】直流标称电压：90±20%V，冲击电流（8/20μS）：10kA，电容值＜1.5pF，电阻值＞1GΩ；

瞬态抑制二极管（TVS）

    TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V；Vb：4.0V；防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV；结电容（f=1MHz）：1.2pF；封装为SOT-323

三、方案应用

    1．医疗器械

    2．视频监控

    3．光发射机

    4．其他射频设备

四、方案说明与注意事项

    1．本方案前端采用一颗GDT，并联与信号线与地线之间，泄放大电流

    2．后端的TVS结电容为1. 2pF，不影响数据传输；

    3．封装为SOD- 323，体积小，节约成本；残压低，有效保护射频芯片

    4．本方案满足I EC61000- 4- 5、GBT17626. 5等浪涌标准，更多射频口防护方案设计、整改及选型可直接访问硕凯电子官网：http://www.socay.com