项目名称：

高压LED芯片

申报单位：

圆融光电科技股份有限公司

综合介绍或申报理由：

高压LED芯片可应用于日常高压驱动的电路系统当中。在芯片环节实现电路串并联系统，减少后续制作工序。大幅提高产品寿命与稳定性。 我司研发的高压LED芯片采用外延结构深能级接触层设计，降低接触电阻，降低电压，提高发光效率； 设计高载流子迁移率插入层，提高空穴注入；研发AlGaN锯齿形量子垒结构，提高量子阱中电子空穴复合几率；自主研发解决高压芯片深槽刻蚀的技术难题，采用分步式干法蚀刻技术，有效提高刻蚀效率，生产效率高，适合批量生产；运用窄切割道和窄隔离槽设计，在保持芯片面积不变的前提下可获得最大的发光面积；采用芯片绝缘层平坦化结构设计。 目前高压芯片技术已形成多个产品型号，获得了下游客户的一致好评，订单源源不断。 该项技术被授予了2015年安徽省高新技术产品称号，年销售额达千万以上。

主要技术参数：

主要规格：高压LED芯片

型号：17B

关键技术指标：

客制化满足不同驱动电压需求；

光效＞140lm/W

与国内外同类产品或同类技术的比较情况：

目前国内市场对高压芯片的需求量不是很大属于小众市场，但其的扩展和研发将是LED未来发展的趋势之一，将电路系统集成到芯片内部有众多的优势，实际上由于高压LED芯片的技术难度加上生产良率较低一直成为让许多LED芯片生产厂商望而却步，基本都处于研发阶段。我司拥有强大的技术实力通过自主研发解决了生产过程中的一个个技术难点。

我司生产出的高压LED芯片属于国内领先。该产品具有很多优势1.性能上：光效可达140lm/W，2.耐用度上：在3倍电流老化测试依旧可以保持良好的光电参数，额定电流下寿命可达10万小时，3.可以实现90%以上的高生产良率。

经济评价分析：

截至目前高压芯片产量5.3亿颗、产值1070.9万

技术及工艺创新要点：

1.外延结构采用深能级接触层设计，降低接触电阻，降低电压，提高发光效率；

2.高载流子迁移率插入层，提高空穴注入；

3.AlGaN锯齿形量子垒结构设计方法，提高量子阱中电子空穴复合几率；

4.自主研发解决了高压芯片深槽刻蚀的技术难题，采用分步式干法蚀刻技术，有效提高刻蚀效率，生产效率高，适合批量生产；

5.窄切割道和窄隔离槽设计，在保持芯片面积不变的前提下可获得最大的发光面积；

6.芯片绝缘层平坦化结构设计

实际运用案例和用户评价意见：

在如此高的性能面前，我们的售价在同行中比较适中，质量过关，产品的耐用度好，时间长，安全性高，售后服务态度好，速度快、效率高，深受广大用户满意。

圆融光电为我们设计的45B紫光芯片具有，高光效，高良率的特点，完全符合我司产品的市场应用。

贵公司客户服务态度认真,能及时按合同所要求的日期完成。“圆融科技”是个值得信赖的好的合作伙伴。

当初选择合作伙伴的时候，经过实地考察和多方比较，我们认为圆融的业务类型比较齐全、工程技术含量较高、综合实力较强，所以最终选择了圆融，在合作过程中，圆融高压芯片所体现出来的一流的技术水准、专业的制作能力让人印象深刻，对于这次合作我们十分满意，随着项目的进一步延伸，我们以后还会和圆融光电继续合作下去。

在合作过程中，我们对圆融光电的快速反应能力、工作效率及务实的工作态度印象深刻。此次圆融的高压芯片也成为一大亮点，羸得了好评，也为我司带来了很好的效益。我们会和贵司一直合作下去。”

给我们留下深刻印象的是贵司出色的技术水准，贵司的高压芯片投入我司生产后，客户普遍反响较好。

获奖、专利情况：

1.授权发明专利：一种氮化镓系半导体发光器件外延片的制作方法（201210293710.9）

2.授权发明专利：一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法（201210330312.X）

3.已授权实用新型：一种LED芯片（201420568249.8）

申报单位介绍：

圆融光电科技股份有限公司（股票代码：832502）坐落于美丽的诗城马鞍山。总占地面积123亩，是一家专业从事全色系半导体发光二极管外延片、芯片研发生产和销售的国家高新技术企业。公司注册资金2.156亿，总投资23.7亿。

公司以打造拥有独立自主知识产权的民族高科技企业为己任，通过发展、收购、合并逐渐建立拥有30多台MOCVD设备的外延生产基地和数条世界一流芯片生产线，可年产高品质外延片、芯片180万片。

公司经过四年的发展现拥有专业技术人才百余人，由多名业内知名专家领队，通过自主研发获得了几十项专有技术和六十多项发明专利。公司的蓝绿外延片、芯片产品连年被授予安徽省高新技术产品及重点新产品称号。

公司先后获得多项省市乃至国家荣誉资质，自主成立了省市工程技术研究中，厚积而薄发，逐渐发展成为国内光电行业的排头兵。 2014年实现销售收入突破4亿元，已然成为行业内的佼佼者。

产品图片：