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LED光电参数定义及其详解

上传人:admin

上传时间: 2014-07-10

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  LED 的实质性结构是半导体PN 结,核心部分由P 型半导体和N 型半导体组成的晶片,在P 型半导体和N 型半导体之间有一个过渡层,称为PN 结。其发光原理可以用PN 结的能带结构来做解释。制作半导体发光二极管的半导体材料是重掺杂的,热平衡状态下的N 区有很多迁移率很高的电子,P 区有较多的迁移率较低的空穴。在常态下及PN 结阻挡层的限制,二者不能发生自然复合,而当给PN 结加以正向电压时,由于外加电场方向与势垒区的自建电场方向相反,因此势垒高度降低,势垒区宽度变窄,破坏了PN 结动态平衡,产生少数载流子的电注。空穴从P 区注入N 区,同样电子从N 区注入到P 区,注入的少数载流子将同该区的多数载流子复合,不断的将多余的能量以光的形式辐射出去。

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