In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制
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上传人：魏国华,王斌,李俊梅,曹学伟,张存洲,徐晓轩 上传时间： 2011-09-21 浏览次数： 100 |
| 作者 | 魏国华,王斌,李俊梅,曹学伟,张存洲,徐晓轩 |
|---|---|
| 单位 | 南开大学物理科学学院,南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室 |
| 分类号 | O472.3 |
| 发表刊物 | 发光学报 |
| 发布时间 | 2010年05期 |
引言
光致发光(PL)光谱是研究半导体量子阱导带与价带之间跃迁及激子效应的一种极其重要的方法,同时测试样品的PL谱无需制作像电伏谱一样的电极,乃至影响样品,故PL谱测试方法以其高灵敏度得到了广泛的应用。PL谱可用于MBE生长的监测,研究材料的发光特性、杂质、缺陷等等,随着……
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