一种测量功率型LED热阻的方法
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上传人：肖炜,刘一兵 上传时间： 2011-08-29 浏览次数： 227 |
| 作者 | 肖炜,刘一兵 |
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| 单位 | 邵阳职业技术学院机电工程系 |
| 分类号 | TN312.8 |
| 发表刊物 | 低温与超导 |
| 发布时间 | 2011年06期 |
引言
功率型LED作为半导体照明的关键部件,它的结温变化会使芯片发射光谱红移,导致芯光粉量子效率队降低,影响出光效率及色温、色度变化,加速荧光粉及芯片的老化,缩短使用寿命[1]。因此对功率型LED芯片的结温和热阻进行理论分析和实验测量显得尤为重要。目前对半导体器件结温……
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