AlGaN势垒层应变弛豫度对高Al含量Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT性能的影响
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上传人：杨燕,郝跃,张进城,王冲,冯倩 上传时间： 2011-08-16 浏览次数： 117 |
| 作者 | 杨燕,郝跃,张进城,王冲,冯倩 |
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| 单位 | 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 |
| 分类号 | TN386 |
| 发表刊物 | 中国科学(E辑:信息科学) |
| 发布时间 | 2006年09期 |
AlGaN/GaN HEMT由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应(可在AlGaN/GaNHEMT的沟道区域内获得非常高的自由载流子浓度),从而在高频、高温和大功率应用方面具有比Si和GaAs基器件更大的优势[1~4].众多研究表明……
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