GaN基功率型LED芯片散热性能的测试与分析
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上传人：钱可元，郑代顺，罗毅 上传时间： 2010-01-18 浏览次数： 72 |
与正装L ED 相比,倒装焊芯片技术在功率型L ED 的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型L ED 芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊L ED 芯片散热能力的主要因素;而对于正装L ED 芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装焊L ED 芯片相同的散热能力。欢迎下载学习！
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