GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性造成的影响
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上传人：厦门三安光电科技有限公司(蔡伟智) 上传时间： 2010-01-18 浏览次数： 62 |
采用X光双晶衍射仪分析了GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN2LED芯片, 对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN2LED 器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切; 减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法, 为GaN2LED外延材料生长工艺的优化和改善提供依据, 达到预测和提高器件可靠性的目的。欢迎下载学习！
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