图2：采用UX:3技术的白色LED“OSLUX”。用于摄像头闪光灯。

　　记者：除了改变n型接触层的配置及形状之外，是否还采取了其他措施?

　　欧司朗：还加厚了作为发光部分的活性层。俄歇复合的发生概率与载流子密度的3次方成比例，因此，降低载流子密度的话，便可减少俄歇复合的发生。通过加厚活性层，降低了载流子密度。活性层并非简单加厚，而是对掺杂量等进行了优化。

　　记者：发光特性可得到多大程度的提高?

　　欧司朗：采用UX:3的蓝色LED芯片，其光输出功率在芯片为1mm见方的情况下投入350mA电流时比ThinGaN大约高10%。投入电流越多，UX:3和ThinGaN的差距就越大。使用这种蓝色LED芯片的白色LED，其发光效率可达到136lm/W。

　　顺向电压(VF)只有100mV多。可以说，这也是发光效率得以提高的主要原因之一。

　　记者：制造工序会有多大程度的改变?设置通孔的话，成品率是否会大幅下降?

　　欧司朗：由于增加了设置通孔的工序，因此制造工序会有所增加。但各个制造工序并非特殊工序，只需利用以往的制造工艺进行优化即可。通孔深度不过数百nm，深宽比较小，因此不会给成品率带来多大影响。

　　记者：请谈一下今后的应用计划。

　　欧司朗：UX:3将作为ThinGaN的进化版，从投入大电流的高端蓝色LED、白色LED及绿色LED开始采用。首先将推出手机摄像头闪光灯使用的产品，并于2010年内发布面向普通照明用途的产品(图2)。目前打算在1mm见方的大尺寸芯片上采用UX:3，不过在技术成熟后，还有可能在标准尺寸的芯片上使用UX:3。 (编辑：PCL)